行业应用 14

半导体 / 晶圆制造

14 / 半导体

湿法蚀刻 / 清洗 / CMP 抛光多酸槽液(HF + H₂SO₄ + H₃PO₄ + DI)四组分同步在线浓度监测。

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应用概述

半导体晶圆制造的湿法蚀刻、清洗、CMP 抛光等关键工序,普遍涉及HF / H₂SO₄ / H₃PO₄ / NH₄OH / H₂O₂ / DI Water 等多种强腐蚀化学品的精确配比。随着先进制程演进到 14nm / 7nm / 5nm,槽液浓度的稳定性要求从传统的 ±5% 收紧到 ±1% 以内。派声 PS7100 光谱法浓度计采用 UV-Vis-NIR 全光谱 + MLR 多组分智能建模,配合 PFA 全氟内衬 + 蓝宝石光学窗,面向中芯国际、华虹、长江存储、上海积塔、合肥晶合等国内 FAB 提供多酸槽液浓度同步监测方案。

典型工艺难点

  • HF 极易腐蚀玻璃 / 石英 / 不锈钢,传统接触式仪表寿命极短,且失效时会污染晶圆批次(单批次价值数十万元)
  • 湿法工艺通常 3-4 组分同时管控(如 SPM: H₂SO₄+H₂O₂,BHF: HF+NH₄F),传统离线分析需 4 次取样 + 4 套设备
  • 14nm/7nm 制程对槽液浓度容忍 ±1%,超出即恶化器件良率(行业平均损失 1 点良率 = 0.5%~1% 营收)
  • FAB 严格管控人员进出工艺区,频繁取样不可接受,且 HF 接触灼伤、H₂SO₄ 烫伤风险高
  • 槽液寿命判断难——过早换液浪费电子级化学品(电子级 HF ≈ 8 万元 / 吨),过晚换液恶化良率

推荐方案

测量点推荐原理典型型号
湿法蚀刻槽(HF + H₂SO₄ + H₃PO₄ + DI 四组分)光谱法 + MLR 多组分PS7100
CMP 抛光液浓度光谱 / 折光PS7100 / PS7110
晶圆清洗槽(SPM / BHF)光谱法PS7100
高纯化学品配液站折光 / 超声声速PS7110 / PS7020

核心价值

  • 多组分同步:单次测量同步输出 HF / H₂SO₄ / H₃PO₄ / DI Water 四组分实时浓度,传统离线 4 次分析 → 一次完成
  • 耐 HF 接液:PFA 全氟内衬流通池 + 蓝宝石光学窗,耐受 HF + 多酸复合腐蚀,无接触污染晶圆批次
  • 槽液寿命管理:浓度漂移实时跟踪,精准判断换液时机,化学品消耗下降 15%~25%
  • FAB 智能化集成:RS485 / Modbus / MQTT 接入 FAB 的 MES / SECS-GEM 系统,支撑自动 Recipe 控制
  • 免标定免维护:OLED 长寿命光源 + 无机械动作,维护周期 ≥ 180 天,符合 FAB 高可用性要求

典型应用场景

面向中国半导体晶圆制造产业链(FEOL / BEOL / 封测)。某国内 12 英寸 FAB 试点 PS7100 替代离线滴定后,槽液换液周期延长 30%,电子级 HF 消耗下降 22%,晶圆良率提升 0.8 个点,年化收益超千万元。